非晶硅薄膜的制备及晶化研究

摘要：

采用磁控溅射技术首先在玻璃基片、单晶硅片上溅射非晶硅薄膜再在其表面溅射铝膜,并用快速退火炉在不同温度下进行退火.利用台阶仪、拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征.结果表明:在功率120W,气压1.5～2.5pa,时间为3.5～4.5h的条件下可制备得非晶硅薄膜,Al诱导能降低晶化温度,并在500～600℃间存在一最佳晶化温度.

关键词：非晶硅薄膜、磁控溅射、铝诱导晶化、多晶硅

所属期刊栏目：33

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金联合基金资助项目U1037604

在线出版日期：2013-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19