纳米硅(nc-Si∶H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池计算机模拟

摘要：

文章运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟计算了n-型纳米硅(n+-nc-Si∶H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.结果显示,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(VOC和填充因子(FF).计算得到了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论极限效率ηmax=31.17%(AM1.5100MW/cm2 0.40～1.10μm波段).

关键词：nc-Si∶H/c-Si异质结、太阳电池、计算机模拟

所属期刊栏目：23

分类号：TP34(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028201

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-26