氧化锌锡薄膜晶体管的制备与性能研究

摘要：

为了提高薄膜晶体管的性能,本文基于射频磁控溅射技术,采用氧化锌锡(ZTO)材料作为沟道层,在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管.采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响.使用半导体参数仪对ZTO薄膜晶体管进行电学性能的测试,利用XPS分析研究溅射功率对ZTO薄膜中元素组成和价态的影响,探索高性能薄膜晶体管的原理机制.实验结果表明,所有ZTO薄膜样品是非晶结构,表面致密,透光率均大于90%.适当增加溅射功率能够改善ZTO薄膜晶体管的电学性能.在90 W溅射功率下制备的薄膜晶体管综合性能较好,其饱和迁移率达到了 15.61 cm2/(V·s),亚阈值摆幅为 0.30 V/decade,阈值电压为-5.06 V,电流开关比为8.92×109.

关键词：薄膜晶体管、溅射功率、XPS分析、ZTO薄膜

所属期刊栏目：39

分类号：TN321+.5(半导体技术)

在线出版日期：2024-02-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：40-47