溅射功率对钨掺杂ZnO薄膜晶体管性能的影响
为有效提高薄膜晶体管的电学和光学性能,本文采用射频磁控溅射法在P型硅衬底上沉积钨掺杂氧化锌薄膜(WZO),并制备成薄膜晶体管(TFT)器件,研究钨(W)的溅射功率对WZO薄膜晶体管电学和光学性能的影响,并对WZO薄膜进行表征.实验结果表明,W的溅射功率会影响薄膜的结晶质量.随着W溅射功率的增加,薄膜结晶质量逐渐变好.达到某个值后继续增加W的溅射功率,薄膜结晶质量并没有很大的改善.本文中研究的WZO薄膜均在(002)晶面择优生长,且当W的溅射功率为2 W时,WZO薄膜晶体管综合性能最好,开关比达到5.24×105,阈值电压为16.89 V,在400～1400 nm波段平均透过率达到90％.
薄膜晶体管、氧化锌钨薄膜、钨的溅射功率
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TN321+.5(半导体技术)
吉林省科技发展计划;吉林省科技发展计划;吉林省教育厅科学技术研究项目;吉林省教育厅科学技术研究项目;吉林省科技计划;吉林省科技计划
2022-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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