TFT-LCD中电容对公共电压的影响

摘要：

为分析TFT-LCD线残像,研究了画面驱动数据电压通过电容(CDC)对公共电压的影响.首先根据实际膜层分布,描述电容在膜层的具体构成,并建立电路等效模型,测量并分析TFT-LCD实际工作状态的电容.然后,建立方法测试棋盘格画面公共电压畸变并分析其造成线残像的机理.最后,设置"黑灰条"画面使畸变量最大化以便于分析畸变的形成过程和影响因素.实验结果表明:TFT开关关闭时呈现高阻态,CDC仅为公共电压和数据电压金属线交叠电容(C0),电容值为55 fF;TFT完全打开时呈现低阻态,CDC由存储电容和C0并联构成,电容值为530 fF;当TFT处于中间态时,测试得到的电容值为中间值.电容值越大,数据电压转换速度越快,畸变量越大.降低转换速度(48 ns→53 ns),可减小畸变量(2.67 V→2.61 V).

关键词：TFT-LCD、线残像、电容、公共电压

所属期刊栏目：37

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2022-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：351-357