TFT阵列基板过孔电阻与耐流性能研究

摘要：

薄膜晶体管阵列基板过孔电阻大、耐流性差易发生过孔烧毁,引起显示异常.目前针对过孔电阻与耐流性影响因素及机理尚不明确,制约着未来高耐流性过孔的制备和应用.本文实验结果表明:氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)膜方块电阻减小、过孔坡度角减小、ITO膜与金属接触面积增大均可降低过孔电阻、提升过孔耐流性.结合过孔结构及机理分析指出,过孔电阻主要由ITO膜层自身电阻(RITO)及过孔接触电阻(Rcontact)组成,ITO膜方块电阻及过孔坡度角减小会使RITO减小,ITO膜与金属接触面积增大会使Rcontact减小.基板中部过孔耐流性差与中部的ITO膜方块电阻及过孔坡度角偏大有关.在满足产品光学品质标准前提下,ITO膜厚增厚、调控绝缘层膜质以及干法刻蚀参数减小坡度角、加大过孔接触面积设计是降低过孔电阻、提升过孔耐流性的有效途径.

关键词：TFT阵列、过孔电阻、耐流性能

所属期刊栏目：37

分类号：TN32;TN305(半导体技术)

在线出版日期：2022-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：342-350