环境友好型InP量子点的合成及其发光性能的研究进展

摘要：

在光电显示领域中,量子点发光二极管(quantum dots light-emitting diode,QLED)因其宽的光谱可调性、窄的半峰全宽、高的色纯度等优异性能而受到广泛关注,并被认为是下一代显示技术极为突出的候选者.目前,镉基QLED的红、绿、蓝三色发光性能已十分接近有机发光二级管的水平,但是镉元素对人体及环境具有严重的危害性.InP量子点具有较大的激子波尔半径、宽的光谱可调性(可覆盖整个可见光区)以及与镉基量子点相媲美的光电性质,而成为最有望替代镉基量子点的环境友好型量子点.因此,本文详细总结了近年来InP量子点的合成(核壳的结构、配体的选择等)与荧光性能及其QLED发光性能等方面的研究进展,并对InP QLED所面临的问题、挑战及其可行性解决方案进行了讨论和展望.

关键词：环境友好型量子点;磷化铟;荧光量子产率;量子点发光二极管;发光性能

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分类号：TN312.8;TN383+.1(半导体技术)

资助基金：广东省重点领域研发计划;国家自然科学基金;广西自然科学基金重点项目

在线出版日期：2021-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：1341-1351