阵列基板铜工艺不良研究

摘要：

本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施.结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑.使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色.在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤或者更改设计来规避.在第二次氮化硅刻蚀步骤中,高含量的氧会氧化过孔处的铜,造成过孔连接异常,降低刻蚀步骤中氧气含量可以解决该不良.

关键词：阵列工艺、铜腐蚀、铜氧化、黑孔不良、退火、垂直黑线不良

所属期刊栏目：36

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2021-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：560-565