ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善

摘要：

为改善TFT特性,采用感应耦合等离子体(ICP)设备进行4-Mask光刻胶(PR)灰化工艺,光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留.本文研究了光刻胶灰化工艺条件对a-Si膜层残留的影响,结果表明:压力、偏压射频功率是产生膜层残留的主要因素,O2用量为次要因素.通过光刻胶灰化工艺优化得出了改善膜层残留的条件:压力≥2.66 Pa,源极功率:偏压功率≥3:1,qv(SF6):qv(O2)≥1:60,对感应耦合等离子体设备在光刻胶灰化工艺中的进一步应用具有非常重要的意义.

关键词：感应耦合等离子体、灰化、膜层残留、物理刻蚀、氧化

所属期刊栏目：35

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2020-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1264-1269