8光罩BCE结构IGZO-TFT的钝化层通孔柱状不良的改善

摘要：

针对氧化物工艺形成的钝化层通孔柱状不良进行系统研究,发现通孔柱状不良发生的根本原因,并找到了有效改善措施.通过对比两种不同设计的通孔出现的差异推测通孔柱状不良可能与膜层结构相关,对相应的膜层进行去除验证,确定了通孔柱状不良为1 ITO膜层导致.通过扫描电镜发现1 ITO刻蚀后仍然有小颗粒ITO残留,对通孔柱状不良提出合理解释.最后在通孔柱状不良形成机理上,提出了有效改善措施.ITO结晶物无法被刻蚀液刻蚀,残留的ITO结晶物阻挡SiO2刻蚀,从而形成通孔柱状不良.ITO一旦结晶,延长1ITO刻蚀时间也不能改善柱状不良,通过降低ITO厚度可有效减轻通孔柱状不良,但仍然无法消除,通过加大钝化层刻蚀反应气体,可以有效将ITO结晶物反应抽出,彻底消除通孔柱状不良.

关键词：ITO、柱状不良、结晶、通孔刻蚀

所属期刊栏目：35

分类号：TN321+.5(半导体技术)

在线出版日期：2020-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1234-1239