薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究

摘要：

为了降低薄膜晶体管的寄生电容,一种新型平坦化材料被引入.单独采用反应离子刻蚀(RIE)或增强电容耦合等离子刻蚀(ECCP)模式刻蚀该平坦化层均无法获得满意的工艺效果.为此,提出了将RIE和ECCP相结合的方法用于新型平坦化层的刻蚀.实验结果表明:当平坦化层厚度为2.0 μm时,先以RIE模式7 kW/20 Pa条件刻蚀1.5 μm,再以ECCP模式5 kW+4 kW/8 Pa条件继续刻蚀平坦化层及其下方的氮化硅,刻蚀出的过孔图形表面光滑,氮化硅层无底切,平坦化层孔径均值6.12 μm.本研究结果为后续采用该平坦层材料的高分辨率、低功耗产品的设计和生产打下了坚实基础.

关键词：薄膜晶体管、平坦化层、低介电常数、干法刻蚀

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分类号：TN141.9(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金61474075

在线出版日期：2019-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1055-1060