摩擦Mura机理和设计改善方法

摘要：

摩擦Mura是ADS型TFT-LCD中一种常见不良,本文主要对摩擦过程中固定位置的Mura进行理论研究和实验测试.摩擦Mura产生原因是TFT基板上的源极线附近的摩擦弱区漏光.从产品设计方面找出影响这种固定位置的摩擦Mura的主要因子为ITO材质、段差、过孔密度.ITO材质为金属材质,摩擦时对摩擦布损伤较大,摩擦方向上ITO越长对摩擦布损伤越大,摩擦Mura越明显.设计时需要尽力保证摩擦方向上ITO长度一致.段差会导致摩擦布经过高低不同区域时产生损伤,设计时需要尽力保证摩擦方向上段差一致.过孔是密度影响,孔径直径(5μm)＜摩擦布毛直径(11 μm),密度越小则摩擦Mura越轻.以15.0FHD产品为例,对周边电路设计位置ITO材质/源极线/过孔密度等膜层进行设计优化,摩擦Mura发生率从5％降至0％,改善效果明显.

关键词：摩擦Mura、设计因素、ITO、段差(漏极线)、过孔密度

所属期刊栏目：34

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2019-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：570-575