IGZO-TFT钝化层三元复合结构过孔刻蚀

摘要：

IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构,出现了20％过孔相关不良.本文以CF4/O2为反应气体,采用控制变量法,从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究.当钝化层为SiO2或SiNx单组分时,氧气可以促进刻蚀反应;随着CF4/O2比例增加,刻蚀速率先增大后趋于稳定,并且当CF4/O2=15/8时,刻蚀速率和均一性达到最优;与源功率相比,提高偏压功率在提升刻蚀速率中起主导作用,同时均一性控制在15％以内;当压力在4 Pa以内时,刻蚀速率随着压力的降低而增加.据此分析,对复合结构SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蚀过程进行优化,得到了形貌规整、无残留物的过孔,过孔相关不良得到100％改善.

关键词：氧化物TFT、三元复合结构、钝化层、过孔刻蚀

所属期刊栏目：34

分类号：TN321+.5(半导体技术)

在线出版日期：2019-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：564-569