PCI结构TFT-LCD产品竖Mura不良机理分析及改善研究

摘要：

针对像素电极与公共电极换位(P-ITO and C-ITO Interchanged,PCI)结构薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)产品中出现的一种竖Mura,结合生产工艺的实际情况,本文运用关键尺寸(Critical Dimension,CD)、EPM(Electrical Properties Measurement)、SEM(Scanning Electron Microscope,扫描电子显微镜)等检测设备,进行了大量的实验测试 、数据处理和理论分析工作.通过测量Cell Gap、膜厚 、CD、Overlay等特性参数,进行产品设计对比 、光效模拟和Lens恶化实验,发现该不良与PCI结构的特殊性有关.其产生的根本原因是不良区域内两层ITO之间左右非交叠区域CD差异造成电场分布异常导致液晶偏转角度异常,最终导致屏幕亮暗不均.通过改变ITO对位方式提高两层ITO之间左右非交叠区域的均一性,有效地降低了不良的发生率(从26％ 下降到0.1％ 以内).

关键词：液晶显示器、PCI结构、竖Mura、亮度均一

所属期刊栏目：33

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2018-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：397-404