刻蚀液的调整对Array Mura影响的研究

摘要：

生产中经常出现常温污渍(Array Mura)不良.针对TFT面板布线细线化及低电阻电极的要求,纯铝工艺迫切需要新型湿法刻蚀液的对应.目前,本文通过对比3种产线中测试的刻蚀液,得出 Array Mura 的产生主要与纯铝工艺的顶层金属钼的刻蚀后缩进有关,其中测试的刻蚀液C可以有效控制金属钼的缩进至0.1 μm以内.控制顶层金属钼缩进的主要原因与刻蚀液C的硝酸浓度和添加剂含量有关,通过控制药液进而控制了刻蚀过程内的电化学反应,最终使得Array Mura得到了有效的改善,后续无相关不良发生.采用刻蚀液C刻蚀后线宽、坡度角等相关刻蚀参数均满足要求,目前已经导入量产使用.

关键词：常温污渍、钼缩进、刻蚀液

所属期刊栏目：33

分类号：TN141.9(真空电子技术)

资助基金：京东方TFT特性研发基金Supported by TFT Characteristic Research Fund of BOE

在线出版日期：2018-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：138-143