氮化硅的ECCP刻蚀特性研究

摘要：

本文对氮化硅的增强电容耦合等离子刻蚀进行研究,为氮化硅刻蚀工艺的优化提供参考.针对SF6+O2气体体系,通过设计实验考察了功率、压强、气体比、氦气等对刻蚀速率和均一性的影响,并对结果进行机理分析和讨论.实验结果表明:功率越大,刻蚀速率越大,与源极射频电力相比,偏置射频电力对刻蚀速率的影响更为显著;压强增大,刻蚀速率增大,但压强增大到一定程度后,刻蚀速率基本不变,刻蚀均匀性随着压强增大而变差;在保证SF6/O2总流量保持不变下,O2的比例增大,刻蚀速率先增大后减小,刻蚀均匀性逐步变好;He的添加可以改善刻蚀均匀性,但He的添加量过多时,会造成刻蚀速率降低.

关键词：氮化硅、增强电容耦合等离子刻蚀、刻蚀速率

所属期刊栏目：32

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2017-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：533-537