图形化氧化锌阵列的制备及其场发射性能研究

摘要：

为了减小场发射的屏蔽效应,采用图形化技术对氧化锌(ZnO)纳米枝阵列进行调控,并研究图形化ZnO枝阵列的性能.首先采用光刻法在ITO导电玻璃上制备图形化ZnO种子层,再用电沉积法在图形化种子层上生长ZnO纳米枝阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)研究所制备的图形化ZnO阵列形貌、结构等,并测试其场发射性能.研究结果表明,制备的图形化ZnO纳米枝是圆阵列,直径为330 μm左右,纳米ZnO主干平均直径为400~500 nm,发现主干上有一些精细的类似锥状的纳米量级微细枝结构,并且具有良好的场发射性能,开启场强为2.15V/μm,场增强因子为16 109.该图形化生长ZnO阵列阴极的方法是一种能较好改善材料场发射性能的方法,在场发射应用领域表现出较好的前景.

关键词：图形化、氧化锌纳米枝、电沉积法、场发射

所属期刊栏目：32

分类号：O462.4(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：福建省自然科学基金2014J01236;福建省科技重大专项2014HZ0003-1;福建省资助省属高校专项课题No.JK2014003Supported by the Science Foundation of Fujian Province2014J01236;Major Science and Technology of Fujian Province2014HZ0003-1;Provincial University Funded Special Issue of Fujian Province JK2014003

在线出版日期：2017-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：367-371