感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善

摘要：

通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性.研究结果表明:下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性.经过对下部电极Dam区的改造可以有效增大玻璃基板的冷却范围,改善光刻胶变性残留问题.

关键词：感应耦合等离子体、干法刻蚀、下部电极、光刻胶、湿法去胶

所属期刊栏目：32

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2017-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：265-268