搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的退化行为与退化机制研究

摘要：

本文主要研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在栅交流电应力下的退化行为和退化机制.在栅交流应力下,动态热载流子效应主导了器件的退化.器件退化只与栅脉冲下降沿有关.越快的下降沿带来越大的动态热载流子退化.比起普通多晶硅TFT,BG多晶硅TFT的热载流子退化大幅度减弱.通过选择性的掺杂注入BG线,沟道中形成的PN结在反向偏置时可以有效分担栅交流电应力带来的电压差,从而减弱动态热载子退化.辅以瞬态模拟结果,栅交流电应力下的退化机制被阐明.所有的测试结果都表明这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统应用中具有很大的应用前景.

关键词：搭桥晶粒、多晶硅、薄膜晶体管、栅交流应力、动态热载流子

所属期刊栏目：32

分类号：TP394.1(计算技术、计算机技术)

资助基金：香港研究资助局主题研究计划项目NO.T23-713/11-1 Supported by the Hong Kong Government Research Grants Council Theme-Based Research Scheme under Grant T23-713/11-1

在线出版日期：2017-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：91-96