TFT 光刻 DICD 均一性改善优化

摘要：

为了对 TFT((Thin Film Transistor)光刻 DICD(Develop Inspection Critical Dimension)均一性进行改善,分析了光刻 DICD 存在差异性的原因,并建立了改善循环流程。对循环流程改善原理及方法进行说明。首先,根据处于光刻系统最佳焦平面位置光刻胶吸收光强最大,DICD 最小(DICDmin )原则,提出了调整光刻平面,使其与系统最佳焦平面趋势一致,可减小 DICD 差异性。接着,计算出各光刻区域与最佳焦平面位置处的 DICD 差值(DICD-DICDmin ),并通过结合光刻区域台板平坦度,判断 DICD-DICDmin 各差值的正负性。然后,采用最小二乘法对光刻区域 DICD-DICDmin 进行平面方程拟合,该平面即为光刻趋势平面,并反映了光刻平面与光刻系统最佳焦平面的差异。最后,以此平面方程作为光刻机台板高度调整平面方程,并对光刻区域台板高度进行调整,从而使得实际光刻平面趋于系统最佳焦平面。结果表明：该方法连续实验3次,DICD 均一性可改善30％以上。

关键词：DICD、最佳焦平面、平坦度、均一性、最小二乘法

所属期刊栏目：31

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2016-12-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：929-935