利用CsN3n型掺杂电子传输层改善OLED 器件性能的研究

摘要：

为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用 CsN3作为 n 型掺杂剂,对有机电子传输材料 Bphen 进行 n 型电学掺杂,制备了结构为 ITO/MoO 3(2 nm)/NPB(50 nm)/Alq3(30 nm)/Bphen(15 nm)/Bphen∶CsN3(15 nm,x ％,x ＝10,15,20)/Al(100 nm)的器件.实验结果表明,CsN3是一种有效的 n 型掺杂剂,以掺杂层 Bphen∶CsN3作为电子传输层,可以有效地降低电子的注入势垒,改善器件的电子注入和传输能力,从而降低器件的开启电压,同时提高了器件的亮度和发光效率.在掺杂浓度为10％时器件的性能最优,开启电压仅为2．3 V,在7．2 V 的驱动电压下,达到最大亮度29060 cd/m2,是非掺杂器件的2．5倍以上.当驱动电压为6．6 V 时,达到最大电流效率3．27 cd/A.而当掺杂浓度进一步提高时,由于 Cs 扩散严重,发光区形成淬灭中心,造成器件的效率下降.

关键词：CsN3、n 型掺杂、有机电致发光器件、电流效率

所属期刊栏目：31

分类号：TN383+.1;TN312+.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目No．61404053 Supported by National Natural Science Foundation of China61404053

在线出版日期：2016-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：773-777