Bphen 掺杂 Cs2 CO3作为电子传输层对 OLED器件性能的影响
为改善 OLED 器件的载子注入平衡，本文在其结构 ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2 CO3/Al 中，分别引入高电子迁移率材料 Bphen 及 Bphen∶Cs2 CO3作为电子传输层。通过改变 Bphen 的厚度以及 Bphen 中 Cs2 CO3的体积掺杂浓度，研究其对器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。实验结果表明，采用 Bphen 或者 Bphen∶Cs2 CO3作为电子传输层，均能提高器件的电子注入能力，改善器件的性能。相比于未引入 Bphen 的器件，采用25 nm 的 Bphen 作为电子传输层，改善了器件的电子注入，使器件的最大电流效率提高112%；采用体积掺杂浓度为15%，厚度为5 nm 的 Bphen∶Cs2 CO3作为电子传输层，减小了电子注入势垒，使器件的最大电流效率提高27%，并且掺杂层厚度的改变对器件的电子注入影响很小。该方法可用于 OLED 器件的阴极修饰，对器件性能的提升将起到一定的促进作用。
电子传输层、Bphen、Cs2 CO3、OLED
TN383+.1(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2012AA011901;科技部973计划前研专项2012CB723406;国家自然科学基金No.21174036 Supported by National High Technology Research and Development Program of China2012AA011901;China Ministry of Science and Technology under Contract2012CB723406;Na-tional Natural Science Foundation of China21174036
2015-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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