TFT 栅极绝缘层和非晶硅膜层的 ITO 污染对电学特性影响的研究

摘要：

本文对 TFT 在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中，透明电极 ITO 成分对膜层的污染和 TFT 电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO 成分会对 PECVD 设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染，并会影响 TFT 的电学特性。建议采用独立的 PECVD 设备完成 ITO 膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积，并且对设备进行周期性清洗，可降低 ITO 成分的污染和提高产品的电学性能。

关键词：薄膜晶体管、化学气相沉积、栅极绝缘层、有源层、非晶硅膜、氧化铟锡、电学特性

分类号：TN321.5(半导体技术)

在线出版日期：2015-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：930-936