N 掺杂 MgZnO 薄膜的 p 型导电稳定性研究

摘要：

利用磁控溅射技术,以 Mg0.06 Zn0.94 O 为陶瓷靶材,制备了 N 掺杂 p 型 Mg0.13 Zn0.87 O 薄膜,薄膜的电阻率为42.45Ω·cm,载流子浓度为3.70×1017/cm3,迁移率为0.40 cm2·V-1·s-1。研究了该薄膜 p 型导电性质在室温空气下随时间的变化情况。实验结果表明,薄膜的电阻率逐渐升高,载流子浓度降低,五个月以后,薄膜转变为 n 型导电,电阻率为85.58Ω·cm,载流子浓度为4.53×1016/cm3,迁移率为1.61 cm2·V-1·s-1。真空热退火后重新转变为 p 型。结果显示,其 p 型导电类型的转变与在空气中吸附 H 2 O 或 H 2等形成浅施主有关。

关键词：射频磁控溅射、MgZnO 薄膜、p 型、稳定性

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目No.2013181 Supported by Scientific and Technological Research Project of Jilin Provincial Eduction Department2013181

在线出版日期：2015-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：925-929