干法刻蚀工艺对 TFT-LCD Flicker 改善的研究

摘要：

为了对 TFT-LCD 中的闪烁不良进行改善,本文通过研究 TFT-LCD 中干法刻蚀(Nplus Etch)对 TFT 特性的影响,以此对刻蚀条件(Power、Gas)进行优化,达到降低 Photo-Iof 的目的。实验结果表明,当干法刻蚀主工艺条件为：Source/Bias=4 k/5 k、Press=90 mT、SF6/O2=1.1 k/3 kml/min,AT Step 条件为：Source/Bias=2 k/2 k、Press=100 mT、SF6/O2=3 k/3 kmL/min 时,Photo-Iof 由量产最初的58.15降至20.52,闪烁由15%~30%降至10%以下。干法刻蚀工艺条件的优化对 TFT 特性以及闪烁有明显改善效果。

关键词：干法刻蚀、TFT 特性、闪烁改善

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2015-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：904-908