TFT-LCD过孔接触电阻研究

摘要：

研究了过孔接触电阻变化规律，并进行机理分析，为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先，运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后，通过扫描电子显徽镜、能量色散 X射线光谱仪和聚焦离子束显徽镜对过孔内部形貌进行表征。最后，对过孔接触电阻变化规律进行机理分析。实验结果表明：过孔面积越大，接触电阻越小；过孔面积相同时，长方形过孔的接触电阻小于正方形过孔的接触电阻，多小孔的接触电阻小于单大孔的接触电阻，栅极金属与氧化铟锡的过孔接触电阻小于源/漏层金属与氧化铟锡的过孔接触电阻。为了降低钼/铝/钼与氧化铟锡连接过孔的接触电阻，过孔面积尽可能最大化，采用长方形过孔优于正方形过孔，多小过孔优于单大孔设计，同时优化过孔刻蚀工艺，减少过孔内顶层钼的损失。

关键词：薄膜晶体管阵列工艺、接触电阻、过孔设计优化

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2015-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：432-436