TFT-LCD网点Mura的研究和改善

摘要：

为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1％HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10℃试验、工艺ash、n+刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验.研究了沟道n+掺杂a-Si层的厚度对于Mura的影响.确定了Mura的发生源和影响因素,结果发现Mura形成机理,一为基板背部划伤,二为接触和不接触电极区域的温差异,三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部,之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大.最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a-Si厚度和升高温度的方法,消除了网点Mura,并使得整体Mura发生率降为0.08％.

关键词：色斑、薄膜晶体管、非晶硅、缺陷分析

所属期刊栏目：28

分类号：TN312.18(半导体技术)

在线出版日期：2014-02-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：860-867