MPCVD生长B掺杂金刚石膜的二次电子发射研究
研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势(NEA)的行为.对于B2H6/CH4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系数(SEE)分别达到18.3和10.9.值得注意的是,这两个样品在测试前已在大气中搁置了几个星期,并且测量前未经过任何处理.如此高的SEE表明,样品在大气中暴露后NEA效应仍得到了保留.另外,10 mg/L B2H6/CH4掺杂样品在酸溶液中处理后NEA消失,SEE较低,而在真空中加热后NEA明显恢复,SEE在1 kV时达到10.2.
B掺杂金刚石膜、负电子亲和势、二次电子发射系数、氧化处理
28
TB75(真空技术)
微波电真空器件国家重点实验室基金资助项目J1010103
2013-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
688-692
