搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管
提出了一种薄膜晶体管的新结构.这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点.通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制.通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善.
搭桥晶粒、多晶硅、薄膜晶体管
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TN321+.5(半导体技术)
香港研究资助局主题研究计划项目T23-713/11-1
2013-10-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
471-478