溅射压强对钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜性能的影响

摘要：

利用直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出了透过率高、电阻率较低的钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜(TGZO).研究了溅射压强对TGZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射压强对TGZO薄膜的结构和电阻率有重要影响.X射线衍射(XRD)表明,TGZO薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜.薄膜的电阻率具有随着溅射压强的增大先减小,后增大的规律,在溅射压强虽为11 Pa时,实验获得的TGZO薄膜晶格畸变最小,电阻率具有最小值1.48×10-4Ω·cm,透过率具有最大值94.3%.实验制备的TGZO薄膜附着性能良好,在400～760 nm波长范围内的平均透过率都高于90%.

关键词：TGZO薄膜、透明导电薄膜、溅射压强、磁控溅射

所属期刊栏目：26

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金ZR2009GL015

在线出版日期：2011-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：54-58