发光层混合掺杂的白光OLED器件
制备了白光OLED器件,器件结构为:ITO/2T-NATA(15 nm)/NPB(25 nm)/ADN:TBPe[(20-x)]nm、ADN:TBPe:DCJFB(x nm)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/A14(100 nm).研究了ADN:TBPE:DCJTB层厚度从0~8 nm变化时对器件发光的影响.实验结果表明,当ADN:TBPE:DCJTB层厚度为0时,器件发蓝光;随着ADN;TBPE:DCJTB层厚度的增加,器件发光的色坐标从蓝光区进入白光区,在ADN:TBPE:DCJTB层厚度为6~8 nm时得到色坐标较好的白光器件.
有机电致发光、白光、掺杂
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TN383+.1(半导体技术)
陕西省13115显示器工程中心建设项目20072DGC-07;浙江省温州市科技计划项目H20080004;陕西科技大学自然科学基金ZX09-31
2011-05-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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