非晶硅薄膜晶体管的热阻模型
基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型.采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度.在沟道热阻模型的基础上,考虑器件问场氧化层和金属瓦联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型.采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布,并快速预估沟道内的最高结温.最后,将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比,两者拟合良好.
非晶硅薄膜晶体管、热阻、自热效应、温度分布
26
TN321+.5(半导体技术)
国家自然科学基金60776020;广东工业大学博士启动项目405105006
2011-05-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
28-33