ZnO薄膜离子注入改性的研究进展

摘要：

ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年来离子注入技术在ZnO的n、p型掺杂等方面的研究进展.

关键词：氧化锌、离子注入、掺杂

所属期刊栏目：24

分类号：TN305.3(半导体技术)

资助基金：湛江师范学院科研项目L0503

在线出版日期：2009-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：367-371