a-Si:H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响

摘要：

对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值.

关键词：OLED、有源驱动、存储电容、充电率

所属期刊栏目：23

分类号：TN27;TN304.5(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目10644002

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：572-577