10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.019
利用C-545T超薄层多层结构的白光器件
为了探讨(3-545T超薄层的发光特性,设计了结构为:ITO/2T-NATA(20 nm)/NPBX(20 nm)/C-545T(d nm)/BCP(8 nm)./Alq(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的绿光器件.结果表明,随着C-545T层厚度d的增加,器件的亮度和效率均下降,这是由于C-545T染料的浓度淬灭效应引起的.在此基础上,制备了基于C-545T超薄层为发光层之一的多层结构的白光器件,器件结构为:ITO/NPBX(30 nm)/Rubrene(0.2 nm)/NPBX(5 nm)/DPVBi (20 nm)/NPBX(4 nm)/C-545T(0.1 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.在驱动电压为16 V时,其最大亮度达到12 320 cd/m2,对应的色坐标为(0.32,0.40),在电压为4 V时,最大光功率效率达到了3.45 lm/w.
有机电致发光器件、超薄层、效率
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TN383.1(半导体技术)
吉林省科技发展计划项目20050523;吉林省教育厅科研计划项目吉教科合字[20033第25号,吉教科合字[2004]第54号;四平科技局计划项目四科合字第2005007号,四科合字第2006008号
2008-07-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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