薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究

摘要：

光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一.初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势.结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素.通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7 Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s.

关键词：薄膜晶体管、四次光刻、光刻胶、灰化

所属期刊栏目：23

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金90201004

在线出版日期：2008-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：183-187