纤锌矿InxGal-xN/GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用

摘要：

在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子的电声相互作用,得出了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子与电子相互作用的哈密顿.结果表明,在对称单量子阱GaN/InxGal-xN/GaN中,界面声子-电子相互作用的耦合强度随组分x的变化差别很大;在对称单量子阱GaN/In0.8Ga0.2N/GaN中,不同的界面声子随着波数的变化对电声相互作用的贡献不同.

关键词：GaN/InxGa1-xN/GaN、界面声子-电子相互作用、量子阱

所属期刊栏目：23

分类号：O471.4(半导体物理学)

资助基金：河南省教育厅自然科学基金2004140004

在线出版日期：2008-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：43-47