低真空下射频磁控溅射法制备ITO薄膜

摘要：

在低真空(2.3×10-3 Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜.溅射温度200 ℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90 %氧化铟、10 %氧化锡的陶瓷靶.用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构, 用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分.ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80 %～95 %).在低工作气压(1 Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好.在高工作气压(2 Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜.

关键词：氧化铟锡、薄膜、射频磁控溅射、X射线光电子能谱

所属期刊栏目：22

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：Foundations of Pujiang Talented Person Plans05PJ14037;Nanotechnology of Shanghai Muni-cipal Science & Technology Committee0552nm042;Shanghai-Applied Materials Research and Development Fund0519

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：553-559