空气氧化法对纳米碳管场发射性能的影响

摘要：

以镍金属为催化剂,在600 ℃条件下,采用化学气相沉积法(CVD)制备碳纳米管.将制得的碳纳米管用高能球磨法处理0.5～1 h后,以空气氧化法进行提纯,并研究了氧化温度对碳纳米管形貌和场发射性能的影响.用扫描电镜、Raman光谱分别对300～500 ℃的氧化提纯后的碳纳米管的形貌和结构进行了表征.结果表明:碳纳米管的场发射性能随温度的升高而升高,经400～450 ℃加热10 min后,非晶碳成分减少,碳管纯度得到提高,场发射性能达到最高;当氧化温度继续升高时,碳纳米管的缺陷密度增大,非晶化程度增加,场发射特性变差.因此,通过控制氧化温度可以有效提高碳纳米管的纯度和场发射性能.

关键词：碳纳米管、场发射、球磨、空气氧化

所属期刊栏目：22

分类号：TN873.95(无线电设备、电信设备)

资助基金：Shanghai Science Technology Committee0552nm006;0652nm033;05PJ14320;06DZ11404;50672026;05DZ05803;Development Program of High Technology and Innovation of Shanghai Economic Committee;Project of Key Laboratory of Advanced Display and System ApplicationsShanghai University,Ministry of EducationP200503

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：541-547