EA-HFCVD 沉积纳米金刚石膜的光致发光分析

摘要：

采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30 nm的均匀金刚石膜.生长过程中,预先加6 A偏流生长1 h,然后在0.8 kPa条件下,无偏流生长3 h.光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682 eV, 1,564 eV, 1,518 eV和1.512 eV的发光峰.1.682 eV处发光峰源于衬底硅原子掺杂于膜中引起的缺陷;其他发光峰源于金刚石晶格振动声子.光致发光强度越大对应的缺陷密度越大,从而降低了场发射域值电场强度,其关键可能源于金刚石膜电导型晶界.

关键词：光致发光、纳米金刚石膜、电子辅助-热丝化学气相沉积

所属期刊栏目：22

分类号：TN873.95(无线电设备、电信设备)

资助基金：国家自然科学基金60577040;Shanghai Foundation of Applied Materials Research and Development0404;Nano-technology Project of Shanghai0452nm051;0552nm046;Shanghai Leading Academic DisciplinesT0101

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：529-534