LiF作电子注入缓冲层对有机电致发光器件电容的影响

摘要：

已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED), 可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度.文章主要对OLEDs (A): Al/Alq3/ITO和(B): Al /LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1 nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72 500 pF减小到12 500 pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能.

关键词：OLEDs、LiF、电容

所属期刊栏目：22

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：甘肃省自然科学基金3ZS051-A25-034

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：512-515