钯膜上CVD法制备碳纳米管薄膜的研究

摘要：

采用化学气相沉积法,以乙炔为碳源,在各种钯膜上制备了碳纳米管薄膜.通过电子显微镜观察了碳管薄膜和钯膜的表面形貌.结果表明,在真空气氛下磁控溅射的钯膜上无法生长碳纳米管.对溅射的钯膜进行大气气氛下的退火处理,则可生长出稀疏的碳纳米管团聚颗粒.采用在氧气气氛下磁控溅射的钯膜作为催化剂,则可显著提高碳管的生长密度和纯度,从而获得致密均匀的碳纳米管薄膜.

关键词：碳纳米管、钯膜、化学气相沉积

所属期刊栏目：22

分类号：TN873.95(无线电设备、电信设备)

资助基金：National Economy and Trade Commission of China50071026

在线出版日期：2007-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：387-392