电压对有机蓝光器件发光光谱的影响

摘要：

介绍了结构为ITO/40 nm 4,4',4"-tris[N,-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamine(m-MTDATA)/5 nm N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)/x nm 4,4-bis(2,2-diphenyl vinyl)-1,1-biphenyl(DPVBi)/y nm 6,11,12,-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)/40 nm tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq)/0.5 nm LiF/Al的器件,其发光光谱的半峰宽在电压由2 V变为12 V时,由140 nm变为70 nm,器件发光的峰值波长由456 nm变为444 nm的规律.半峰宽变窄是由于随着电压的升高,被Rubrene俘获的电子获得了足够的能量,越过Rubrene层,在DPVBi中与注入的空穴形成激子而复合发光的概率的逐步增加所造成的.峰值波长蓝移是由于激子的形成区域随着电压的增加逐渐由DPVBi层移向NPB层造成的.器件峰值波长的这种变化对器件的色度改善有着很大的影响.

关键词：有机电致发光器件、峰值波长、蓝移

所属期刊栏目：22

分类号：TN873.3(无线电设备、电信设备)

资助基金：吉林省科技发展计划20050523;吉林省教育厅科研项目吉教科合字[2003]第25号;吉教科合字[2004]第54号;吉林省四平市科技局科技计划四科合字第20030017号;四科合字第2005007号

在线出版日期：2007-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：235-239