侧向邻二氟取代联苯类液晶的相变研究

摘要：

利用差示扫描量热仪(DSC)、显微热分析仪和偏光显微镜(POM)对系列侧向邻二氟取代联苯类液晶的介晶性进行了系统研究.结果表明,所有化合物均具高清亮点(119～171 ℃)及较宽的液晶相温度范围(53～108 ℃).在液晶态可观察到部分单体的近晶A相(SA)和所有单体向列相的典型织构.讨论了末端基团对液晶性的影响,发现末端基团的增长会导致液晶的熔点、清亮点的下降及近晶相温度范围的增加.液晶相区间随端基的变化呈现出交替升降的规律性.

关键词：液晶、负介电各向异性、介晶性、织构、VA-TFT

所属期刊栏目：22

分类号：TN104.3(真空电子技术)

资助基金：国防科工委关键基础材料研究项目K0900050802

在线出版日期：2007-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：151-155