Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量

摘要：

通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响.根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5 Ω·cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用.

关键词：p型氮化镓、镍/金、比接触电阻率

所属期刊栏目：21

分类号：TN312.8;O472(半导体技术)

资助基金：广东省关键领域重点突破项目2B2003A107;广东省深圳市科技计划200515;深圳大学校科研和教改项目

在线出版日期：2007-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：655-659