Mn掺杂浓度对ZnO纳米薄膜的结构和光致发光的影响

摘要：

Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注.ZnO的激子束缚能高达60 meV,具有优良的光学性质.因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来.文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了不同Mn含量对材料结构和光致发光的影响.XRD结果表明,所有的样品均具有六角纤锌矿结构,并且随着引入Mn含量的增加,样品的晶格常数增大.光致发光结果显示,随Mn含量的增加,样品的紫外发光峰先红移后蓝移.光致发光谱也显示,适量的Mn掺杂可以钝化样品的可见区发射,提高样品的光学质量.

关键词：光致发光、ZnO、Mn含量、Mn掺杂结构

所属期刊栏目：21

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50402016;60501025;60506014;国家自然科学基金60336020;50532050;中国科学院知识创新工程项目2004年第7号

在线出版日期：2007-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：615-619