用Al或Mo/Al/Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法

摘要：

为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善.但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用.本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.

关键词：液晶显示器、腐蚀、Al、Mo/Al/Mo、等离子体处理

所属期刊栏目：21

分类号：TN873.93;TN305.7(无线电设备、电信设备)

资助基金：Key Item of Beijing Scientific and Technical ProjectD0304002

在线出版日期：2006-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：501-505