a-Si:H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计

摘要：

分析了a-Si:H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx:H栅绝缘层和a-Si:H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响.根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si:H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号.通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的.

关键词：OLED、a-Si:H-TFT、阈值电压漂移、电荷注入、亚稳态、补偿方法

所属期刊栏目：21

分类号：TN873.3;TN321.5(无线电设备、电信设备)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2004AA303560

在线出版日期：2006-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：491-496