Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展

摘要：

目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制.新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高﹑原料气体利用效率高﹑衬底温度低﹑生长的薄膜致密﹑电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术.文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论.

关键词：硅薄膜、薄膜晶体管、化学气相淀积法

所属期刊栏目：21

分类号：TN141(真空电子技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA303250;吉林省科技发展计划20010305

在线出版日期：2006-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：483-490