氧化铟锡薄膜制备工艺参数的正交优化设计

摘要：

利用水热的方法制备了ITO透明导电薄膜,通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜光电特性的影响规律.试验结果表明:影响薄膜光电性能的主要因素是前驱物浓度,其次是氨水浓度和保温温度,保温时间对薄膜光电性能的影响较小.在采用前驱物浓度为0.5 mol/L、氨水浓度为3 mol/L、保温温度为160 ℃、保温时间8 h的实验条件下,沉积薄膜的性能较好.

关键词：ITO薄膜、水热法、正交试验

所属期刊栏目：21

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA32X140;广西新世纪十百千人才工程基金2003214;广西自然科学基金桂科自0542011

在线出版日期：2006-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：465-468